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中欣晶圆请求超级背封的加工工艺办法专利使加工的硅晶片正面缺点更少产品良率极大提高

来源:乐鱼官方网站在线登录-阿特拉斯真空泵
发布时间:2024-11-02 17:49:37

金融界2024年10月29日音讯,国家知识产权局信息数据显现,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司请求

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  金融界2024年10月29日音讯,国家知识产权局信息数据显现,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司请求一项名为“超级背封的加工工艺办法”的专利,公开号CN 118824871 A,请求日期为2024年6月。

  专利摘要显现,本发明触及一种超级背封的加工工艺办法,所属硅片背封加工技术领域,包含如下操作过程:第一步:对完结双面抛光加工的硅晶片,进行第一次APCVD加工,使硅晶片反面镀上一层二氧化硅薄膜即LTO膜,薄膜厚为0.3~0.6μm。第二步:长第一层二氧化硅薄膜的硅晶片洗净后,对硅晶片正面进行化学机械抛光CMP。第三步:进行第2次LPCVD加工,使硅晶片镀上一层多晶硅膜即Poly膜,多晶硅膜厚约为0.3~0.8μm。第四步:对硅晶片正面进行第2次CMP加工,得到超级背封的抛光片制品。经过超级背封产品工艺流程的两道CVD之间参加一次CMP,再在背封工艺完结后进行终究CMP,改进晶片正面印记、划伤、污迹等缺点。使得加工的硅晶片正面缺点更少,产品良率极大提高。

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