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  华为是一家颇具国际影响力的科技公司，尤其是5G技术设备，不仅在通信技术方面反超了美国，甚至遥遥领先后者3-5年。但必须要强调的是，智能时代几乎所有的产品不能离开小小的芯片，华为的先进一样是建立在这样的基础之上。

  为了遏制华为、限制中国科技的快速地发展，美国便使出了芯片禁令的手段。这招简直是釜底抽薪，要知道我国是全球最大的芯片需求市场，近三年购买芯片花费了6万亿以上，现在却无高端芯片可用，这种巨大的影响可想而知。

  不仅是传统的硅基芯片，就连制造芯片的设备EUV光刻机也被美国技术所垄断，虽然生产EUV光刻设备的是荷兰企业，但却含有20%的美技术与零配件。

  进口的路基本被堵死，国产企业若想活下去，就必须自力更生。好的一点是，关键时候，“国家队”跑步入场，中科院等国内顶尖科研机构宣布，将卡脖子的这样一些问题列入紧急任务清单，包括光刻机、实现芯片自主等诸多问题。

  张钹教授在国内无芯可用之时，曾提出了这样的观点：基础技术工艺的落后并非一朝一夕就能赶上，我们应该选择新航道、新灯塔。

  在前段时间的石墨烯大会上，中科院宣布了新成果，8英寸石墨烯晶圆，这是制造碳基芯片的基础原材料，不管是尺寸还是性能都领先全球。

  在中科院展示成果的那刻，国内不少科技人士都认为，碳基芯片就是新灯塔，能很好的绕开光刻机的限制。

  虽然这样的呼声承载了国人们对中国技术突破垄断的愿望，但结局很现实，碳基芯片不仅只停留在试验阶段，即便已完成开发，也依然绕不开光刻机，甚至对光刻技术的要求比硅基芯片要更加苛刻。

  从芯片工艺角度来看，石墨烯晶圆做导体不难，但是要做半导体就很难了，导体只需能导电就行，但半导体技术的关键是怎么来控制电阻。

  碳原子共有四个自由电子，却仅能生成两层电子数，这决定了碳基的活泼性和导热性都远超硅基，虽然碳和硅属于同一主族，但碳没有硅的还原性，碳基芯片的结构无法像硅基一样稳定，这是其暂时无法代替硅基芯片的主要原因。

  碳基芯片在制造方面与硅基芯片相同，都要运用Fen Fet与SOI技术来实现电流的阻隔，集成电路是唯一途径，而集成电路的刻制最先进的工艺便是光刻技术了。

  这意味着，在没有跨越级别的制造技术诞生的情况下，碳芯片不仅绕不开光刻机，其活泼、不稳定的性能决定了，对光刻技术的要求更高于同等工艺水平的硅芯片。

  事实很扎心，但中科院尽力了。虽然不能解开目前的芯片困境，但石墨烯晶圆开发完成依然意义重大，它决定了我国将在下个半导体时代（碳时代）处于领先的地位。

  如今传统的硅基芯片，在工艺上已经顶到天花板，就拿制造技术最先进的台积电来说，5nm尚能量产，3nm虽已完成研发，但良品率却很难保证，据悉不足70%，再进一步的话，不仅成本要翻倍的增加，就连芯片的稳定性也可能崩塌。

  根据预测机构的多个方面数据显示，2024年之前，硅基仍大概率是芯片市场的主流，但各国科研机构都慢慢的开始在寻找新型半导体材料以求替代了，碳基则是最好的选择。

  不管是现在的硅基或者是未来的碳基，若想实现自主，光刻技术仍是我们一定要要攻克的核心难题

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